安装类型

Through Hole

底架

Through Hole

表面安装

NO

引脚数

4

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Bag

Active

2A

NTE224

NTE Electronics

Non-Compliant

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P3

FLANGE MOUNT

METAL

200 MHz

ROUND

1

Active

NTE ELECTRONICS INC

2

TO-39F

系列

-

操作温度

175°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

Other Transistors

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBFM-P3

资历状况

Not Qualified

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

10W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

增益

-

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

10 W

发射极基极电压 (VEBO)

4 V

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最高频段

VERY HIGH FREQUENCY BAND

噪音数字(分贝类型@ f)

-

环境耗散-最大值

10 W