
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-39
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
1.5A
NTE195A
NTE Electronics
3(V)
TO-39
70(V)
-65C to 200C
1.5(A)
1
TO-39, 3 PIN
CYLINDRICAL
METAL
150 MHz
ROUND
Active
NTE ELECTRONICS INC
2.13
TO-39
系列
-
操作温度
-
ECCN 代码
EAR99
类型
NPN
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
Other Transistors
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
Not Qualified
配置
Single
功率耗散
8(W)
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
8W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 400mA, 2V
JEDEC-95代码
TO-39
增益
10dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
70V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
8 W
集电极电流-最大值(IC)
1.5 A
最小直流增益(hFE)
30
噪音数字(分贝类型@ f)
-
环境耗散-最大值
8 W
功率增益
10(MIN)(dB)