规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Stud Mount
包装/外壳
TO-212MA, TO-210AB, TO-60-4, Stud
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-60
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
1.5A
NTE16003
NTE Electronics
POST/STUD MOUNT, O-MUPM-P3
POST/STUD MOUNT
METAL
500 MHz
ROUND
1
Active
NTE ELECTRONICS INC
2.02
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
BIP RF Small Signal
端子位置
UPPER
终端形式
PIN/PEG
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MUPM-P3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
11.6W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
-
JEDEC-95代码
TO-60
增益
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
40V
频率转换
500MHz
最大耗散功率(Abs)
12 W
集电极电流-最大值(IC)
1.5 A
最小直流增益（hFE）
10
集电极-发射器电压-最大值
40 V
最高频段
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
集电极-基极电容-最大值
10 pF
噪音数字(分贝类型@ f)
-
环境耗散-最大值
11.6 W