规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-225AA, TO-126-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-126
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
300mA
NTE2634
NTE Electronics
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
FLANGE MOUNT
PLASTIC/EPOXY
175 °C
1200 MHz
RECTANGULAR
1
Active
NTE ELECTRONICS INC
1.42
系列
-
操作温度
175°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
Other Transistors
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
功率 - 最大
3W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
JEDEC-95代码
TO-126
增益
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
95V
频率转换
1.2GHz
最大耗散功率(Abs)
3 W
集电极电流-最大值(IC)
0.3 A
最小直流增益（hFE）
20
集电极-发射器电压-最大值
95 V
最高频段
HIGH FREQUENCY BAND
集电极-基极电容-最大值
2 pF
噪音数字(分贝类型@ f)
-