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BUK9880-55,135

型号:

BUK9880-55,135

封装:

TO-261-4, TO-261AA

数据表:

BUK9880-55

描述:

MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 引脚数

    73

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 7.5A Tc

  • 5V

  • 1

  • 8.3W Tc

  • 30 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.8W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    80m Ω @ 5A, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    650pF @ 25V

  • 上升时间

    30ns

  • Vgs(最大值)

    ±10V

  • 下降时间(典型值)

    30 ns

  • 连续放电电流(ID)

    7.5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3.5A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.08Ohm

  • 漏源击穿电压

    55V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    40A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    30 mJ

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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