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BUK98150-55,135

型号:

BUK98150-55,135

品牌:

NXP USA Inc.

封装:

TO-261-4, TO-261AA

数据表:

BUK98150-55

描述:

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 5.5A Tc

  • 5V

  • 1

  • 8.3W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchMOS™

  • 已出版

    1998

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED

  • HTS代码

    8541.29.00.75

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    150m Ω @ 5A, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    330pF @ 25V

  • 漏源电压 (Vdss)

    55V

  • Vgs(最大值)

    ±10V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    2.6A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.15Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    30A

  • DS 击穿电压-最小值

    55V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    15 mJ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Power Dissipation-Max
    Mounting Type
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Technology
    Operating Temperature
  • BUK98150-55,135

    BUK98150-55,135

    TO-261-4, TO-261AA

    55V

    5.5A (Tc)

    8.3W (Tc)

    Surface Mount

    1 (Unlimited)

    MOSFET (Metal Oxide)

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • DMP6185SE-13

    TO-261-4, TO-261AA

    60V

    3A (Ta)

    2W (Ta)

    Surface Mount

    1 (Unlimited)

    MOSFET (Metal Oxide)

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • ZXMP6A17GQTA

    TO-261-4, TO-261AA

    60V

    3A (Ta)

    1.2W (Ta)

    Surface Mount

    1 (Unlimited)

    MOSFET (Metal Oxide)

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • HUFA75309T3ST

    TO-261-4, TO-261AA

    55V

    3A (Ta)

    1.1W (Ta)

    Surface Mount

    1 (Unlimited)

    MOSFET (Metal Oxide)

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • BSP320SL6327HTSA1

    TO-261-4, TO-261AA

    60V

    2.9A (Ta)

    1.8W (Ta)

    Surface Mount

    1 (Unlimited)

    MOSFET (Metal Oxide)

    -55°C ~ 150°C (TJ)

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