安装类型

Surface Mount

包装/外壳

TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-426

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Bulk

75A (Tc)

4.5V, 10V

厂商

NXP USA Inc.

272W (Tc)

Active

D2PAK-5

SMALL OUTLINE

1

PLASTIC/EPOXY

SOT426

NOT SPECIFIED

175 °C

BUK9107-55ATE,118

RECTANGULAR

Nexperia

1

Obsolete

NEXPERIA

5.21

D2PAK

75 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

FET General Purpose Power

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSSO-G4

资历状况

Not Qualified

Nexperia

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.2mOhm @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5836 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

108 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

±15V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0077 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

560 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

272 W

场效应管特性

Temperature Sensing Diode