BSP171PL6327HTSA1
TO-261-4, TO-261AA
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
1.9A Ta
4.5V 10V
1
1.8W Ta
208 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
引脚数量
4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
300m Ω @ 1.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 460μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
460pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
上升时间
25ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
87 ns
连续放电电流(ID)
1.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.3Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
反馈上限-最大值 (Crss)
55 pF
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
BSP171PL6327HTSA1
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
60V
1.9 A
1.9A (Ta)
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
60V
2.6 A
2.6A (Ta)
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
60V
1.17 A
1.17A (Ta)
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
60V
2.9 A
2.9A (Ta)
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
-
TO-261-4, TO-261AA
100V
-
1.8A (Ta)
-
-
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
BSP171PL6327HTSA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- 冲突矿产声明 :