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PMT200EN,115

型号:

PMT200EN,115

品牌:

NXP USA Inc.

封装:

TO-261-4, TO-261AA

描述:

MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 表面安装

    YES

  • 1.8A Ta

  • 4.5V 10V

  • 800mW Ta 8.3W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 引脚数量

    4

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    235m Ω @ 1.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    475pF @ 80V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    10nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1.8A

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Power Dissipation-Max
    Vgs (Max)
    Operating Temperature
    Part Status
    Technology
  • PMT200EN,115

    PMT200EN,115

    TO-261-4, TO-261AA

    100V

    1.8A (Ta)

    800mW (Ta), 8.3W (Tc)

    ±20V

    -55°C ~ 150°C (TJ)

    Obsolete

    MOSFET (Metal Oxide)

  • BSP88L6327HTSA1

    TO-261-4, TO-261AA

    100V

    900mA (Ta)

    800mW (Ta), 6.2W (Tc)

    ±20V

    -55°C ~ 150°C (TJ)

    Obsolete

    MOSFET (Metal Oxide)

  • BSP92PL6327HTSA1

    TO-261-4, TO-261AA

    100V

    900mA (Ta)

    800mW (Ta), 6.2W (Tc)

    ±20V

    -55°C ~ 150°C (TJ)

    Obsolete

    MOSFET (Metal Oxide)

  • PMT760EN,115

    TO-261-4, TO-261AA

    240V

    350mA (Ta)

    1.7W (Ta)

    ±20V

    -55°C ~ 150°C (TJ)

    Obsolete

    MOSFET (Metal Oxide)

  • PMT760EN,135

    TO-261-4, TO-261AA

    250V

    260mA (Ta)

    1.8W (Ta)

    ±20V

    -55°C ~ 150°C (TJ)

    Obsolete

    MOSFET (Metal Oxide)

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