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BSP250,115

型号:

BSP250,115

封装:

TO-261-4, TO-261AA

数据表:

BSP250

描述:

NEXPERIA - BSP250,115 - MOSFET Transistor, P Channel, -1 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -2.8 V RoHS Compliant: Yes

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 3A Tc

  • 10V

  • 1

  • 1.65W Ta

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    1998

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    5W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    250m Ω @ 1A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.8V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    250pF @ 20V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    25nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    -2.8mA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.4Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    12A

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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