
BSP250,115
TO-261-4, TO-261AA
NEXPERIA - BSP250,115 - MOSFET Transistor, P Channel, -1 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -2.8 V RoHS Compliant: Yes
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
3A Tc
10V
1
1.65W Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
250m Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
250pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
-2.8mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏极-源极导通最大电阻
0.4Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSP250,115 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :