![PF38F5060M0Y0B0](https://static.esinoelec.com/200image/5b3a7fc08d71bb0c528af59f67919d4e.jpg)
PF38F5060M0Y0B0
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Memory Circuit, Flash+PSRAM, 32MX16, CMOS, PBGA105, 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, SCSP-105
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
105
Yes
Obsolete
MICRON TECHNOLOGY INC
BGA
TFBGA, BGA105,9X12,32
96 ns
33554432 words
32000000
85 °C
-30 °C
PLASTIC/EPOXY
TFBGA
BGA105,9X12,32
RECTANGULAR
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
1.8 V
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
附加功能
PSEUDO SRAM IS ORGANIZED AS 8M X 16
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
105
JESD-30代码
R-PBGA-B105
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
2 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
32MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00016 A
记忆密度
536870912 bit
内存IC类型
MEMORY CIRCUIT
混合内存类型
FLASH+PSRAM
长度
11 mm
宽度
9 mm