![M36L0R8060T1ZAQE](https://static.esinoelec.com/200image/5b3a7fc08d71bb0c528af59f67919d4e.jpg)
M36L0R8060T1ZAQE
-
Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-88
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
88
Yes
Obsolete
MICRON TECHNOLOGY INC
BGA
TFBGA,
16777216 words
16000000
85 °C
-25 °C
PLASTIC/EPOXY
TFBGA
RECTANGULAR
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
1.8 V
JESD-609代码
e1
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN SILVER COPPER
附加功能
PSEUDO SRAM IS ORGANIZED AS 4M X 16; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
88
JESD-30代码
R-PBGA-B88
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
16MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
记忆密度
268435456 bit
内存IC类型
MEMORY CIRCUIT
长度
10 mm
宽度
8 mm