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规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
质量
2.299997g
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
300V, 20A, 5 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
GenX3™
已出版
2011
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最大功率耗散
220W
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
IXG*30N60
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
功率耗散
220W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
3V
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
60 ns
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
45 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3V @ 15V, 20A
关断时间-标准值(toff)
160 ns
IGBT类型
PT
闸门收费
38nC
集极脉冲电流(Icm)
150A
Td(开/关)@25°C
16ns/42ns
开关能量
270μJ (on), 90μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IXGP30N60C3D4 PDF数据手册
- 数据表 :