![IXGH60N60C3D1](https://static.esinoelec.com/200dimg/ixys-cla50e1200hb-3033.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
30 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
480V, 40A, 3 Ω, 15V
70 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
GenX3™
已出版
2009
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
最大功率耗散
380W
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
IXG*60N60
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
接通延迟时间
21 ns
功率 - 最大
380W
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.5V
最大集电极电流
75A
反向恢复时间
25 ns
JEDEC-95代码
TO-247AD
接通时间
64 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 40A
关断时间-标准值(toff)
226 ns
IGBT类型
PT
闸门收费
115nC
集极脉冲电流(Icm)
300A
Td(开/关)@25°C
21ns/70ns
开关能量
800μJ (on), 450μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5V
最大下降时间 (tf)
95ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IXGH60N60C3D1 PDF数据手册
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