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IXXH80N65B4H1

型号:

IXXH80N65B4H1

品牌:

IXYS

封装:

TO-247-3

数据表:

IXXH80N65B4H1

描述:

IGBT Transistors 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 650V

  • 400V, 80A, 3 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    GenX4™, XPT™

  • 已出版

    2015

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    625W

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    625W

  • 输入类型

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2V

  • 最大集电极电流

    160A

  • 反向恢复时间

    150ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2V @ 15V, 80A

  • IGBT类型

    PT

  • 闸门收费

    120nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    430A

  • Td(开/关)@25°C

    38ns/120ns

  • 开关能量

    3.77mJ (on), 1.2mJ (off)

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    品牌
    Mount
    Package / Case
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    Max Collector Current
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    Collector Emitter Saturation Voltage
    Reverse Recovery Time
  • IXXH80N65B4H1

    IXXH80N65B4H1

    Through Hole

    TO-247-3

    650 V

    160 A

    625 W

    625 W

    1.65 V

    150ns

  • IXXH60N65B4H1

    Through Hole

    TO-247-3

    650 V

    116 A

    380 W

    380 W

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    Through Hole

    TO-247-3

    650 V

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    -

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    Through Hole

    TO-247-3

    650 V

    118 A

    455 W

    455 W

    1.8 V

    -

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    Through Hole

    TO-247-3

    650 V

    140 A

    455 W

    -

    1.7 V

    170 ns

IXXH80N65B4H1 PDF数据手册