规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
400V, 24A, 10 Ω, 15V
115 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2006
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
250W
元素配置
Single
功率耗散
250W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
接通延迟时间
53 ns
晶体管应用
POWER CONTROL
上升时间
22ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.95V
最大集电极电流
48A
反向恢复时间
89 ns
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
64 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.95V @ 15V, 24A
关断时间-标准值（toff)
164 ns
IGBT类型
Trench
闸门收费
50nC
集极脉冲电流（Icm）
72A
Td（开/关）@25°C
41ns/104ns
开关能量
115μJ (on), 600μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
最大下降时间 (tf)
41ns
高度
9.02mm
长度
10.6426mm
宽度
4.82mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentMax Power DissipationPower DissipationCollector Emitter Saturation VoltageReverse Recovery Time
IRGB4062DPBF
Through Hole
TO-220-3
600 V
48 A
250 W
250 W
1.65 V
89 ns
Through Hole
TO-220-3
600 V
47 A
206 W
-
2.15 V
100 ns
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
60 A
37 W
37 W
2.4 V
110 ns
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
40 A
37 W
37 W
2 V
90 ns
Through Hole
TO-220-3
600 V
59 A
246 W
246 W
1.57 V
102 ns
IRGB4062DPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :