![IXA20IF1200HB](https://static.esinoelec.com/200dimg/ixys-cla50e1200hb-3033.jpg)
IXA20IF1200HB
TO-247-3
IXYS SEMICONDUCTOR IXA20IF1200HBIGBT Single Transistor, 38 A, 2.1 V, 165 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1.2kV
1
600V, 15A, 56 Ω, 15V
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2001
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN SILVER COPPER
最大功率耗散
165W
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
功率耗散
165W
输入类型
Standard
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
38A
反向恢复时间
350ns
JEDEC-95代码
TO-247AD
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
110 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 15A
关断时间-标准值(toff)
350 ns
IGBT类型
PT
闸门收费
47nC
开关能量
1.55mJ (on), 1.7mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
高度
21.46mm
长度
16.26mm
宽度
5.3mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Max Collector CurrentMax Power DissipationPower DissipationCollector Emitter Saturation Voltage
-
IXA20IF1200HB
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
38 A
165 W
165 W
1.8 V
-
Through Hole
TO-3P-3 Full Pack
1.2 kV
1200V
38 A
200 W
200 W
2.4 V
-
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
30 A
259 W
-
1.85 V
-
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
30 A
259 W
-
1.85 V
-
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
41 A
160 W
160 W
2.43 V
IXA20IF1200HB PDF数据手册
- 数据表 :