STGW15M120DF3
TO-247-3
STMICROELECTRONICS STGW15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
30 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
包装/外壳
TO-247-3
安装类型
Through Hole
底架
Through Hole
引脚数
3
质量
38.000013g
600V, 15A, 22 Ω, 15V
1.2kV
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
259W
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
STGW15
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
259W
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
30A
反向恢复时间
270 ns
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V, 15A
IGBT类型
Trench Field Stop
闸门收费
226nC
集极脉冲电流（Icm）
60A
Td（开/关）@25°C
26ns/122ns
开关能量
550μJ (on), 850μJ (off)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
达到SVHC
No SVHC
相关型号
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STGW15M120DF3
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
30 A
259 W
1.85 V
270 ns
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
30 A
259 W
2.1 V
231 ns
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
30 A
259 W
1.85 V
270 ns
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
30 A
259 W
-
270 ns
Through Hole
TO-247-3
1.2 kV
1200V
30 A
333 W
1.9 V
72ns
STGW15M120DF3 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :