工厂交货时间

30 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

ISOPLUSi5-Pak™

晶体管元件材料

SILICON

2

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™, TrenchT2™

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN SILVER COPPER

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

最大功率耗散

170W

端子位置

SINGLE

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSIP-T5

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

170W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.8m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

178nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

75V

连续放电电流(ID)

120A

漏极-源极导通最大电阻

0.0058Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

500A

DS 击穿电压-最小值

75V

雪崩能量等级（Eas）

850 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant