工厂交货时间

30 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

i4-Pac™-5

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

最大功率耗散

125W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

基本部件号

FMM

引脚数量

5

资历状况

Not Qualified

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

125W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

78nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

250V

连续放电电流(ID)

30A

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant