IXFM12N100
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IXFM12N100 pdf数据手册 和 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 产品详情来自 IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse 库存可在深圳市佳达源电子有限公司
规格参数
- 类型参数全选
材料
Si
Compliant
No
No
Power MOSFET
HDMOS
Enhancement
1
1000
±20
12
122@10V
122
4000@25V
300000
32
33
62
21
-55
150
Through Hole
11.4(Max)
26.66
30.15 + 9.54(Max)
2
Tab
TO-204AA
Compliant
62 ns
零件状态
Obsolete
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
引脚数量
3
配置
Single
元素配置
Single
功率耗散
300 W
上升时间
33 ns
连续放电电流(ID)
12 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
1 kV
信道型
N
漏源电阻
1.05 Ω