IXFR12N100F
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IXFR12N100F pdf数据手册 和 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 产品详情来自 IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse 库存可在深圳市佳达源电子有限公司
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Compliant
EAR99
8541.29.00.95
No
No
Power MOSFET
HiperFET
Enhancement
1
1000
±20
10
77@10V
77
2700@25V
250000
12
9.8
31
12
-40
150
Through Hole
21.34(Max)
5.21(Max)
16.13(Max)
3
Tab
SOP
ISOPLUS 247
ISOPLUS247, 3 PIN
IN-LINE
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
150 °C
Yes
IXFR12N100F
RECTANGULAR
IXYS Corporation
1
Transferred
IXYS CORP
5.71
10 A
JESD-609代码
e1
无铅代码
Yes
零件状态
Unconfirmed
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AVALANCHE RATED
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
Not Qualified
配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.05 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48 A
DS 击穿电压-最小值
1000 V
信道型
N
雪崩能量等级（Eas）
1000 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR