工厂交货时间

19 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

90A Tc

10V

1

310W Tc

97 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Not For New Designs

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.5Ohm

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE

电压 - 额定直流

75V

额定电流

90A

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

310W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5m Ω @ 90A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

270nC @ 10V

上升时间

140ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

100 ns

连续放电电流(ID)

90A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-247AC

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

170A

漏源击穿电压

75V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

680A

双电源电压

75V

雪崩能量等级（Eas）

690 mJ

恢复时间

61 ns

栅源电压

4 V

高度

20.7mm

长度

15.87mm

宽度

5.3086mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free