IRF7316GTRPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
34 ns
4.9A
已出版
2009
系列
HEXFET®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
2W
基本部件号
IRF7316GPBF
元素配置
Dual
功率耗散
2W
接通延迟时间
13 ns
功率 - 最大
2W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
58mOhm @ 4.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
710pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
34nC @ 10V
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间（典型值）
48 ns
连续放电电流(ID)
4.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
输入电容
710pF
场效应管特性
Logic Level Gate
漏源电阻
58mOhm
最大rds
58 mΩ
宽度
3.9878mm
长度
4.9784mm
高度
1.4986mm
RoHS状态
RoHS Compliant
辐射硬化
No
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