IRF7303QTRPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
2
22 ns
包装
Cut Tape (CT)
系列
HEXFET®
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
2W
基本部件号
IRF7303QPBF
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
6.8 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
50m Ω @ 2.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
520pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
21ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间（典型值）
7.7 ns
连续放电电流(ID)
4.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
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