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STS4DNFS30

型号:

STS4DNFS30

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

数据表:

STS4DNFS30

描述:

MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 4.5A Tc

  • 5V 10V

  • 1

  • 2W Tc

  • 15 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    STripFET™

  • JESD-609代码

    e4

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    NICKEL PALLADIUM GOLD

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    STS4D

  • 引脚数量

    8

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    2W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    55m Ω @ 2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    330pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    4.7nC @ 5V

  • 上升时间

    17ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    6 ns

  • 连续放电电流(ID)

    4.5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    13A

  • 场效应管特性

    Schottky Diode (Isolated)

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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