IRF7406TRPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
5.8A Ta
4.5V 10V
1
2.5W Ta
45 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
45mOhm
附加功能
ULTRA LOW RESISTANCE
电压 - 额定直流
-30V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-5.8A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
行间距
6.3 mm
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
45m Ω @ 2.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1100pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
59nC @ 10V
上升时间
33ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
47 ns
连续放电电流(ID)
-5.8A
阈值电压
-1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
23A
双电源电压
-30V
恢复时间
63 ns
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
-1 V
高度
1.75mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRF7406TRPBF PDF数据手册
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