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IPG16N10S461ATMA1
8-PowerVDFN
Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
2
5 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
29W
终端形式
FLAT
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
3 ns
功率 - 最大
29W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
61m Ω @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 9μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
490pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7nC @ 10V
上升时间
1ns
连续放电电流(ID)
16A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
0.061Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
64A
雪崩能量等级(Eas)
33 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
反馈上限-最大值 (Crss)
20 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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IPG16N10S461ATMA1 PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN封装 :
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