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IPG16N10S461ATMA1

型号:

IPG16N10S461ATMA1

封装:

8-PowerVDFN

数据表:

IPG16N10S4-61

描述:

Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 5 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    29W

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F6

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    3 ns

  • 功率 - 最大

    29W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    61m Ω @ 16A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.5V @ 9μA

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    490pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    7nC @ 10V

  • 上升时间

    1ns

  • 连续放电电流(ID)

    16A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大双电源电压

    100V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.061Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    64A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    33 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    20 pF

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Contains Lead

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