
FT6112D
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Description: Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 120V, 0.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, RM-65, 12 PIN
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
12
晶体管元件材料
SILICON
Obsolete
FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA INC
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T12
4.5 A
4
150 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T12
资历状况
Not Qualified
配置
2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
9 A
DS 击穿电压-最小值
120 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
90 pF
环境耗散-最大值
40 W
FT6112D PDF数据手册
- 数据表 :