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FT6112D

型号:

FT6112D

封装:

-

描述:

Description: Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 120V, 0.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, RM-65, 12 PIN

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    12

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Obsolete

  • FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA INC

  • FLANGE MOUNT, R-PSFM-T12

  • 4.5 A

  • 4

  • 150 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • RECTANGULAR

  • FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T12

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.5 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    9 A

  • DS 击穿电压-最小值

    120 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    90 pF

  • 环境耗散-最大值

    40 W

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