你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

FLM1314-3F

型号:

FLM1314-3F

封装:

-

描述:

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IA, 4 PIN

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    GALLIUM ARSENIDE

  • Transferred

  • FUJITSU LTD

  • FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

  • 1

  • 175 °C

  • CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • RECTANGULAR

  • FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    15 V

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最高频段

    KU BAND

  • 环境耗散-最大值

    25 W

0 类似产品

FLM1314-3F PDF数据手册

  • 数据表 :