
FLK027WG
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
GALLIUM ARSENIDE
外壳材料
1
Transferred
FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA INC
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
CASE WG
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
Gross Weight
62.40
har-switch, 22.3mm
系列
har-switch
包装
Bulk
零件状态
Active
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
DIN 5 pin - Din 5 pin, metal color - silver
类型
Momentary
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
Not Qualified
执行器类型
Selector
面板开孔尺寸
22.3mm (Round)
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
照明
Non-Illuminated
箱体转运
SOURCE
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
15 V
场效应管技术
JUNCTION
需要
Contact Block(s)
最高频段
KU BAND
长度
1500 mm
FLK027WG PDF数据手册
- 数据表 :