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FLK027WG

型号:

FLK027WG

封装:

-

描述:

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    GALLIUM ARSENIDE

  • 外壳材料

    1

  • Transferred

  • FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA INC

  • FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

  • CASE WG

  • CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • RECTANGULAR

  • FLANGE MOUNT

  • Gross Weight

    62.40

  • har-switch, 22.3mm

  • 系列

    har-switch

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    Active

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 连接器类型

    DIN 5 pin - Din 5 pin, metal color - silver

  • 类型

    Momentary

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 执行器类型

    Selector

  • 面板开孔尺寸

    22.3mm (Round)

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 照明

    Non-Illuminated

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    15 V

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 需要

    Contact Block(s)

  • 最高频段

    KU BAND

  • 长度

    1500 mm

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