
FLM1314-8F
-
Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IA, 4 PIN
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
GALLIUM ARSENIDE
Obsolete
FUJITSU LTD
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
3 A
1
175 °C
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
15 V
场效应管技术
JUNCTION
最高频段
KU BAND
环境耗散-最大值
45.5 W
FLM1314-8F PDF数据手册
- 数据表 :