你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

FLM5964-8F

型号:

FLM5964-8F

封装:

-

描述:

Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    GALLIUM ARSENIDE

  • Obsolete

  • FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA INC

  • FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

  • CASE IB

  • 2.6 A

  • 1

  • CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • RECTANGULAR

  • FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    15 V

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最高频段

    C BAND

0 类似产品

FLM5964-8F PDF数据手册