1MBH25D-120
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规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
FLANGE MOUNT
PLASTIC/EPOXY
150 °C
1MBH25D-120
RECTANGULAR
FUJITSU Semiconductor Limited
1
Obsolete
FUJITSU LTD
5.82
TO-3PL
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
38 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V