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1MBC10D-060

型号:

1MBC10D-060

封装:

-

描述:

Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, PLASTIC, TPACK-S-3

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • SMALL OUTLINE

  • PLASTIC/EPOXY

  • 1200 ns

  • 1000 ns

  • 150 °C

  • 1MBC10D-060

  • RECTANGULAR

  • Fuji Electric Co Ltd

  • 1

  • Obsolete

  • FUJI ELECTRIC CO LTD

  • 600 ns

  • 5.81

  • TO-220AB

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY, LOW NOISE

  • 子类别

    Insulated Gate BIP Transistors

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    GULL WING

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 晶体管应用

    POWER CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 最大耗散功率(Abs)

    75 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    20 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    8.5 V

  • 最大下降时间 (tf)

    350 ns

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