1MBC10D-060
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, PLASTIC, TPACK-S-3
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
SMALL OUTLINE
PLASTIC/EPOXY
1200 ns
1000 ns
150 °C
1MBC10D-060
RECTANGULAR
Fuji Electric Co Ltd
1
Obsolete
FUJI ELECTRIC CO LTD
600 ns
5.81
TO-220AB
附加功能
HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
子类别
Insulated Gate BIP Transistors
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大耗散功率(Abs)
75 W
集电极电流-最大值(IC)
20 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
8.5 V
最大下降时间 (tf)
350 ns