表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Non-Compliant

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

160 ns

300 ns

150 °C

1MBH10D-120

RECTANGULAR

Fuji Electric Co Ltd

1

Obsolete

FUJI ELECTRIC CO LTD

600 ns

5.84

附加功能

HIGH RELIABILITY, LOW NOISE

子类别

Insulated Gate BIP Transistors

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

Not Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

POWER CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大耗散功率(Abs)

155 W

集电极电流-最大值(IC)

18 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

8.5 V

最大下降时间 (tf)

500 ns