表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

350 ns

450 ns

150 °C

1MBI200S-120

RECTANGULAR

Fuji Electric Co Ltd

1

Obsolete

FUJI ELECTRIC CO LTD

5.82

子类别

Insulated Gate BIP Transistors

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-XUFM-X4

资历状况

Not Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

POWER CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大耗散功率(Abs)

1300 W

集电极电流-最大值(IC)

300 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

2.6 V