ZXMN6A11DN8TA
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
2.5A
2
8.2 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
120mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
2.1W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
2.7A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
通道数量
2
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.1W
接通延迟时间
1.95 ns
功率 - 最大
1.8W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
120m Ω @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA (Min)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
330pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.7nC @ 10V
上升时间
3.5ns
下降时间（典型值）
4.6 ns
连续放电电流(ID)
3.2A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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