![DMP56D0UV-7](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-d1213a04v7-7850.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
3.005049mg
晶体管元件材料
SILICON
2
21.9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
400mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
AEC-Q101
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
400mW
接通延迟时间
4.46 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6 Ω @ 100mA, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50.54pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.58nC @ 4V
上升时间
6.63ns
漏源电压 (Vdss)
50V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
160mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏极-源极导通最大电阻
6Ohm
漏源击穿电压
-50V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower DissipationRoHS Status
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DMP56D0UV-7
Surface Mount
SOT-563, SOT-666
50V
160 mA
8 V
400 mW
400 mW
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SOT-563, SOT-666
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280 mA
20 V
250 mW
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SOT-563, SOT-666
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15 V
150 mW
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SOT-563, SOT-666
50V
160 mA
20 V
400 mW
400 mW
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DMP56D0UV-7 PDF数据手册
- 数据表 :
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