![DMP3056LSD-13](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-d58v0m4u8mr13-7151.jpg)
DMP3056LSD-13
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
2
26.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
2.5W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMP3056LSD
引脚数量
8
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
6.4 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
45m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
722pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13.7nC @ 10V
上升时间
5.3ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
14.7 ns
连续放电电流(ID)
6.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.045Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.5mm
长度
5.3mm
宽度
4.1mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower DissipationNumber of Terminations
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DMP3056LSD-13
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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30V
6 A
20 V
2.5 W
2.5 W
8
DMP3056LSD-13 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN 其他 :