工厂交货时间

19 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

SOT-963

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

2

25.9 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD

最大功率耗散

330mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

330mW

接通延迟时间

7.7 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.5 Ω @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.15V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

27.44pF @ 15V

上升时间

19.3ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

31.5 ns

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.14A

漏极-源极导通最大电阻

5Ohm

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant