![DMN3018SSD-13](https://static.esinoelec.com/200dimg/diodesincorporated-d58v0m4u8mr13-7151.jpg)
DMN3018SSD-13
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
2
20.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.5W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
参考标准
AEC-Q101
通道数量
2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
4.3 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
697pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13.2nC @ 10V
上升时间
4.4ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
4.1 ns
连续放电电流(ID)
6.7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.5mm
长度
4.95mm
宽度
3.95mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationNumber of TerminationsOperating Temperature
-
DMN3018SSD-13
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
6.7 A
20 V
1.5 W
8
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
8.5 A
20 V
2.5 W
8
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
8.5 A
20 V
3.1 W
8
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
8.4 A
20 V
-
8
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
7 A
20 V
-
8
-55°C ~ 150°C (TJ)
DMN3018SSD-13 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 组装/原产地 :