制造商是'Toshiba'
Toshiba 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 额定电流 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | JESD-30代码 | 极性 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 增益带宽积 | 极性/通道类型 | 产品类别 | 晶体管类型 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce | 最大集极截止电流 | 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 最高频率 | 转换频率 | 最大击穿电压 | 频率转换 | 集电极基极电压(VCBO) | 最大耗散功率(Abs) | 发射极基极电压 (VEBO) | 集电极电流-最大值(IC) | 最小直流增益（hFE） | 最大结点温度（Tj） | 连续集电极电流 | 集电极-发射器电压-最大值 | VCEsat-最大值 | 环境耗散-最大值 | 产品类别 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | 2SA1943-O(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 1 | 80 | Copper, Silver, Tin | 通孔 | 通孔 | TO-3PL | 3 | 230V | 150°C TJ | Tube | 2000 | 活跃 | 不适用 | -230V | 150W | -15A | 30MHz | 2SA1943 | Single | 150W | 30MHz | PNP | 230V | 15A | 80 @ 1A 5V | 5μA ICBO | 3V @ 800mA, 8A | 230V | 5V | 26mm | 20.5mm | 5.2mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5200-O(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 1 | 80 | Copper, Silver, Tin | 通孔 | 通孔 | TO-3PL | 3 | 230V | 150°C TJ | Tube | 2004 | 活跃 | 不适用 | EAR99 | 230V | 150W | 15A | 30MHz | 2SC5200 | Single | 150W | 30MHz | NPN | NPN | 230V | 15A | 80 @ 1A 5V | 5μA ICBO | 3V @ 800mA, 8A | 230V | 5V | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TTC5200(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 1 | 80 | 通孔 | 通孔 | TO-3PL | 3 | 230V | 150°C TJ | Tray | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150W | 30MHz | Single | 150W | 30MHz | NPN | 230V | 15A | 80 @ 1A 5V | 5μA ICBO | 3V @ 800mA, 8A | 230V | 5V | 26mm | 20.5mm | 5.2mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TTA1943(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 1 | 80 | 通孔 | 通孔 | TO-3PL | 3 | 230V | 150°C TJ | Tube | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150W | 30MHz | Single | 150W | 30MHz | PNP | 230V | 15A | 80 @ 1A 5V | 5μA ICBO | 3V @ 800mA, 8A | 230V | -5V | 26mm | 20.5mm | 5.2mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA2061(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 2.5 A | 7 V | 625 mW | PNP | + 150 C | 200 | 0.000353 oz | - | 3000 | SMD/SMT | - | Toshiba | Toshiba | 2.5 A | 500 | Details | 20 V | , | 150 °C | 有 | 2SA2061(TE85L,F) | 活跃 | TOSHIBA CORP | 5.57 | Bipolar Transistors - BJT | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | TSM | 东芝半导体与存储 | 活跃 | 150°C (TJ) | MouseReel | - | Transistors | unknown | Single | 625 mW | PNP | PNP | 200 @ 500mA, 2V | 100nA (ICBO) | 190mV @ 53mA, 1.6A | 20 V | - | 20 V | 1 W | 2.5 A | 200 | - 2.5 A | BJTs - Bipolar Transistors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2881-Y(TE12L,ZC | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 800 mA | NPN | Non-Compliant | 5 V | 1 W | + 150 C | 80 | 0.001764 oz | - | 1000 | SMD/SMT | 120 MHz | Toshiba | Toshiba | 800 mA | 240 | 120 V | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 150 °C | 有 | 120 MHz | 2SC2881-Y(TE12L,ZC | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 5.36 | Bipolar Transistors - BJT | 表面贴装 | TO-243AA | YES | PW-MINI | 3 | SILICON | 东芝半导体与存储 | 活跃 | 150°C (TJ) | MouseReel | - | Transistors | SINGLE | FLAT | 未说明 | unknown | R-PSSO-F3 | Single | 1 | COLLECTOR | 500 mW | AMPLIFIER | NPN | NPN | 120 @ 100mA, 5V | 100nA (ICBO) | 1V @ 50mA, 500mA | 120 V | 120 | 120MHz | 120 V | 0.8 A | 120 | 800 | 120 V | BJTs - Bipolar Transistors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC3324-BL(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 1 | 200 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | 120V | 125°C TJ | Cut Tape (CT) | 2009 | Discontinued | 1 (Unlimited) | 150mW | 100MHz | Single | 150mW | 100MHz | NPN | 300mV | 100mA | 350 @ 2mA 6V | 100nA ICBO | 300mV @ 1mA, 10mA | 120V | 120V | 5V | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC2655-Y(TE6,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 70 | 通孔 | 通孔 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | 3 | TO-92MOD | 2A | 150°C TJ | Bulk | 2006 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | 900mW | NPN | Single | 900mW | 100MHz | NPN | 50V | 2A | 70 @ 500mA 2V | 1μA ICBO | 500mV @ 50mA, 1A | 50V | 100MHz | 50V | 5V | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1832-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-75, SOT-416 | 50V | 125°C TJ | Cut Tape (CT) | 2007 | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | 100mW | unknown | 100mW | PNP | 300mV | 150mA | 120 @ 2mA 6V | 100nA ICBO | 300mV @ 10mA, 100mA | 50V | 80MHz | 50V | 5V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 活跃 | 500 mA | PNP | 2000 | Toshiba | Toshiba | Details | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 150 °C | 35 MHz | 2SA2142(TE16L1,NQ) | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | TOSHIBA CORP | 1.57 | Bipolar Transistors - BJT | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | YES | PW-MOLD | 2 | SILICON | 东芝半导体与存储 | Tape & Reel (TR) | 150°C (TJ) | Reel | - | Transistors | Si | SINGLE | 鸥翼 | unknown | R-PSSO-G2 | SINGLE | 15 | COLLECTOR | 1 W | SWITCHING | PNP | PNP | 100 @ 50mA, 5V | 10μA (ICBO) | 1V @ 10mA, 100mA | 600 V | 35 | 35MHz | 15 W | 0.5 A | 100 | 500 | 600 V | 1 V | 1 W | BJTs - Bipolar Transistors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC5712(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 | 400 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-243AA | 4 | 50V | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2013 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 1W | 1W | NPN | 50V | 3A | 400 @ 300mA 2V | 100nA ICBO | 140mV @ 20mA, 1A | 100V | 7V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC2712-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 1 | 70 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SILICON | 50V | 125°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | 低噪音 | 150mW | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 未说明 | 2SC2712 | R-PDSO-G3 | Single | AMPLIFIER | 80MHz | NPN | NPN | 50V | 150mA | 120 @ 2mA 6V | 100nA ICBO | 250mV @ 10mA, 100mA | 80MHz | 50V | 60V | 5V | 150mA | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1837(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1A | 1 | 100 | Copper, Silver, Tin | 通孔 | 通孔 | TO-220-3 Full Pack | 3 | TO-220NIS | 230V | 150°C TJ | Bulk | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | -230V | 2W | -1A | 70MHz | 2SA1837 | PNP | Single | 2W | 2W | 70MHz | PNP | 230V | 1A | 100 @ 100mA 5V | 1μA ICBO | 1.5V @ 50mA, 500mA | 230V | 70MHz | 70MHz | 230V | 5V | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1201-Y(TE12L,ZC | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 800 mA | PNP | 5 V | 1 W | + 150 C | 80 | 0.001764 oz | - | 1000 | SMD/SMT | 120 MHz | Toshiba | Toshiba | 800 mA | 240 | Details | 120 V | , | 2SA1201-Y(TE12L,ZC | 活跃 | TOSHIBA CORP | 5.16 | Bipolar Transistors - BJT | 表面贴装 | TO-243AA | PW-MINI | 东芝半导体与存储 | 活跃 | 150°C (TJ) | MouseReel | - | EAR99 | Transistors | Si | unknown | Single | 1 | 500 mW | PNP | 80 @ 100mA, 5V | 100nA (ICBO) | 1V @ 50mA, 500mA | 120 V | 120 | 120MHz | 120 V | 800 | BJTs - Bipolar Transistors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1298-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 40 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 25V | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2014 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 200mW | 200mW | 120MHz | PNP | 400mV | 800mA | 160 @ 100mA 1V | 100nA ICBO | 400mV @ 20mA, 500mA | 25V | -30V | -5V | -800mA | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1587-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-70, SOT-323 | 3 | 120V | 125°C TJ | Cut Tape (CT) | 2014 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 100mW | unknown | 100mW | PNP | 300mV | 100mA | 200 @ 2mA 6V | 100nA ICBO | 300mV @ 1mA, 10mA | 120V | 100MHz | 120V | 5V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC5359-O(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 1 | 80 | 通孔 | 通孔 | TO-3PL | 3 | 230V | 150°C TJ | Bulk | 2007 | 活跃 | 不适用 | EAR99 | 180W | 30MHz | Single | 180W | 30MHz | NPN | NPN | 230V | 15A | 80 @ 1A 5V | 5μA ICBO | 3V @ 800mA, 8A | 230V | 5V | 26mm | 20.5mm | 5.2mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4793(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1A | 1 | 100 | Copper, Silver, Tin | 通孔 | 通孔 | TO-220-3 Full Pack | 3 | TO-220NIS | 230V | 150°C TJ | Tube | 2004 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | 230V | 2W | 1A | 100MHz | NPN | Single | 2W | 2W | 100MHz | NPN | 230V | 1A | 100 @ 100mA 5V | 1μA ICBO | 1.5V @ 50mA, 500mA | 230V | 100MHz | 100MHz | 230V | 5V | 1A | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TTA006B,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 1 A | 5 V | 1.5 W | PNP | + 150 C | 100 | 0.029630 oz | - | 250 | 通孔 | 70 MHz | Toshiba | Toshiba | 2 A | 320 | Details | 230 V | Bipolar Transistors - BJT | 通孔 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-126N | 东芝半导体与存储 | Tray | 150°C (TJ) | Tray | - | Transistors | Si | Single | 1.5 W | PNP | 100 @ 100mA, 5V | 200nA (ICBO) | 1.5V @ 50mA, 500mA | 230 V | 70MHz | 230 V | - 1 A | BJTs - Bipolar Transistors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TTC011B,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 1 A | 5 V | 1.5 W | NPN | + 150 C | 100 | 0.029630 oz | - | 250 | 通孔 | 100 MHz | Toshiba | Toshiba | 2 A | 320 | Details | 230 V | Bipolar Transistors - BJT | 通孔 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-126N | 东芝半导体与存储 | Tray | 150°C (TJ) | Tray | - | Transistors | Si | Single | 1.5 W | NPN | 100 @ 100mA, 5V | 200nA (ICBO) | 1.5V @ 50mA, 500mA | 230 V | 100MHz | 230 V | 1 A | BJTs - Bipolar Transistors | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2056(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | 50V | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 625mW | 625mW | PNP | 50V | 2A | 200 @ 300mA 2V | 100nA ICBO | 200mV @ 33mA, 1A | 50V | 7V | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4116-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 70 | Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-70, SOT-323 | 6.208546mg | 50V | 125°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 100mW | unknown | 2SC4116 | 80MHz | NPN | 50V | 150mA | 70 @ 2mA 6V | 100nA ICBO | 250mV @ 10mA, 100mA | 50V | 60V | 5V | 150mA | 900μm | 2mm | 1.25mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4738-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 1 | 200 | Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | SC-75, SOT-416 | 3 | 50V | 125°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 100mW | unknown | 100mW | 80MHz | NPN | 50V | 150mA | 200 @ 2mA 6V | 100nA ICBO | 250mV @ 10mA, 100mA | 50V | 60V | 5V | 125°C | 900μm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1943N(S1,E,S) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 15A | 35 | 通孔 | 通孔 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P(N) | 6.961991g | 230V | 150°C TJ | Tube | 2005 | 活跃 | 不适用 | 150°C | -55°C | 150W | PNP | Single | 150W | 30MHz | PNP | 3V | 15A | 80 @ 1A 5V | 5μA ICBO | 3V @ 800mA, 8A | 230V | 30MHz | -230V | -5V | -15A | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1313-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 500mA | 25 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 50V | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | 200mW | PNP | 200mW | 200MHz | PNP | 250mV | 500mA | 120 @ 100mA 1V | 100nA ICBO | 250mV @ 10mA, 100mA | 50V | 50V | 200MHz | -50V | -5V | -500mA | 1.1mm | 2.9mm | 1.5mm | 符合RoHS标准 |