null 产品销售 - PDF - null - 页 378 - 深圳市佳达源电子有限公司

类别是'存储器'

存储器 (6000)

产品型号	品牌	数据表	有效性	单价(CNY)	询价	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	电源电流	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	数据总线宽度	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	同步/异步	字长	内存IC类型	编程电压	待机电压-最小值	数据轮询	拨动位	顺序突发长度	访问模式	自我刷新	产品类别	座位高度(最大)	长度	宽度
GS8160E36DGT-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade	SRAM				TQFP-100				200 MHz	-40 to 85 °C	Tray		GS8160E36DGT							DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage										100								18 Mbit	4			225 mA, 230 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		512 k x 36					19 Bit	18 Mbit			Industrial																				SRAM
GS881Z36CGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8 Weeks	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	有	GS881Z36CGT-250	262144 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.52	QFP			TQFP-100	YES		100	250 MHz					e3	有				3A991.B.2.B		Matte Tin (Sn)	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		QUAD	鸥翼	260	1		0.65 mm	compliant	100	R-PQFP-G100	不合格		2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V	9 Mbit			SYNCHRONOUS	155 mA, 195 mA	5.5 ns					256 k x 36		1.6 mm	36						9437184 bit		PARALLEL				ZBT SRAM																	20 mm	14 mm
GS8672Q20BE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	SRAM				BGA-165				有		Tray		GS8672Q20BE							SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage																		72 Mbit				1.51 A						4 M x 18								72																					SRAM
AT28C256E-25PC	Atmel	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1
AT28C256E-30DM/883	Atmel	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1
GS8342T37BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade	SRAM				BGA-165				333 MHz	-40 to 100 °C	Tray		GS8342T37BGD							SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage										165								36 Mbit	1			670 mA				Pipelined		1 M x 36					19 Bit	36 Mbit			Industrial																				SRAM
GS8162Z36DB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS8162Z36DB-200I	524288 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	SRAM			BGA-119	YES		119	有		Tray		GS8162Z36DB						3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格		2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V	18 Mbit			SYNCHRONOUS	230 mA	6.5 ns					512 k x 36		1.99 mm	36					18874368 bit		PARALLEL				ZBT SRAM															SRAM		22 mm	14 mm
GS816218DGD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	SRAM				BGA-165				有		Tray		GS816218DGD							Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																		18 Mbit				170 mA, 180 mA	7.5 ns					1 M x 18																													SRAM
GS8342R18BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	Details	DDR	Commercial grade	SRAM				BGA-165				400 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8342R18BGD							SigmaDDR-II B4				Memory & Data Storage										165								36 Mbit	1			600 mA				Pipelined		2 M x 18					21 Bit	36 Mbit			Commercial																				SRAM
GS8672T19BGE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR-II	SRAM				BGA-165				有		Tray		GS8672T19BGE							SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage																		72 Mbit				950 mA						4 M x 18								72																					SRAM
GS816132DGD-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				BGA-165				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	0 to 85 °C			GS816132DGD																					165								18 Mbit	4			175 mA, 190 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		512 k x 32					19 Bit		18 Mbit			Commercial
GS881Z36CGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	SRAM				TQFP-100				有		Tray		GS881Z36CGT							NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																		9 Mbit				130 mA, 140 mA	7.5 ns					256 k x 36																													SRAM
S34ML04G100TFI003	Cypress Semiconductor Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	99 Weeks	表面贴装	表面贴装	48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)		48		Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2014	ML-1	e3		Discontinued	3 (168 Hours)	48			Matte Tin (Sn)		8542.32.00.51			2.7V~3.6V	DUAL			1	3.3V	0.5mm					3.3V	3.6V			2.7V	4Gb 512M x 8		30mA			20 ns	FLASH	Parallel		8b	512MX8			8	25ns	30b		4 Gb	0.00005A					Asynchronous	8b		3V		NO	NO	YES	4K	128K	2kB	YES							1.2mm	18.4mm		无	ROHS3 Compliant
GS8321Z36AD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				BGA-165				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	0 to 85 °C																								165								36 Mbit	4			205 mA, 240 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 36					20 Bit		36 Mbit			Commercial
GS832236AGB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8 Weeks	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	有	GS832236AGB-150I	150 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.12	BGA	Industrial grade	SRAM			BGA-119	YES		119	133@Flow-Through/150@Pipelined MHz	-40 to 100 °C	Tray		GS832236AGB	e1	有				3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1		1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格		2.7 V	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	2.3 V	36 Mbit	4		SYNCHRONOUS	210 mA, 220 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 36	3-STATE	1.99 mm	36		20 Bit	36 Mbit	0.04 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON			缓存SRAM		2.3 V						SRAM		22 mm	14 mm
GS864436E-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	15	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade	SRAM				BGA-165				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	-40 to 85 °C	Tray		GS864436E							同步突发				Memory & Data Storage										165								72 Mbit	4			295 mA, 380 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		2 M x 36					21 Bit	72 Mbit			Industrial																				SRAM
W949D6CBHX6E	Winbond Electronics Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	32000000	PLASTIC/EPOXY	BGA60,9X10,32	-25 °C	未说明	5 ns	85 °C	有	W949D6CBHX6E	166 MHz	33554432 words	1.8 V	TFBGA	RECTANGULAR	Winbond Electronics Corp	活跃	WINBOND ELECTRONICS CORP	5.37	BGA					YES		60	8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60										EAR99			AUTO/SELF REFRESH	8542.32.00.28	DRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		0.8 mm	compliant	60	R-PBGA-B60	不合格		1.95 V	1.8 V	OTHER	1.7 V		1		SYNCHRONOUS	0.075 mA						32MX16	3-STATE	1.025 mm	16					0.00001 A	536870912 bit			COMMON			DDR DRAM										8192	2,4,8,16	2,4,8,16	四库页面突发	YES			9 mm	8 mm
GS8342T09BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8342T09BD-300	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Commercial grade	SRAM			BGA-165	YES		165	300 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8342T09BD						3A991.B.2.B	SigmaDDR-II B2		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格		1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V	36 Mbit	1		SYNCHRONOUS	450 mA				Pipelined		4 M x 9	3-STATE	1.4 mm	9		21 Bit	36 Mbit	0.185 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON			DDR SRAM		1.7 V							SRAM	15 mm	13 mm
GS8321Z36AGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Commercial grade	SRAM				BGA-165				FBGA	0 to 85 °C	Tray		GS8321Z36AGD							NBT				Memory & Data Storage										165								36 Mbit	4			230 mA, 285 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 36						36 Mbit			Commercial																				SRAM
GS8161E36DGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	SRAM				BGA-165				有		Tray		GS8161E36DGD							DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																		18 Mbit				210 mA	6.5 ns					512 k x 36																													SRAM
GS8322Z36AD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	3 Weeks	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	无	GS8322Z36AD-250I	250 MHz	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.12	BGA	Industrial grade	SRAM			BGA-165	YES		165	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	-40 to 100 °C	Tray		GS8322Z36AD	e0	无				3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)	ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格		2.7 V	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	2.3 V	36 Mbit	4		SYNCHRONOUS	250 mA, 305 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36		20 Bit	36 Mbit	0.04 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON			ZBT SRAM		2.3 V						SRAM		15 mm	13 mm
GS8182D37BD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	SRAM				BGA-165				有		Tray		GS8182D37BD							SigmaQuad II+				Memory & Data Storage																		18 Mbit				670 mA						512 k x 36																													SRAM
GS881E18CGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	SRAM				TQFP-100				有		Tray		GS881E18CGT							DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																		9 Mbit				120 mA, 130 mA	7.5 ns					512 k x 18																													SRAM
GS8342TT07BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8342TT07BD-300I	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Industrial grade	SRAM			BGA-165	YES		165	300 MHz	-40 to 100 °C	Tray		GS8342TT07BD	e0					3A991.B.2.B	SigmaDDR-II+ B2	Tin/Lead (Sn/Pb)	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格		1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V	36 Mbit	1		SYNCHRONOUS	460 mA				Pipelined		4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8		21 Bit	36 Mbit		33554432 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON			DDR SRAM		1.7 V						SRAM		15 mm	13 mm
GS816236DB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	Commercial grade	SRAM				BGA-119				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	0 to 85 °C	Tray		GS816236DB							Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage										119								18 Mbit	4			180 mA, 190 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		512 k x 36					19 Bit	18 Mbit			Commercial																				SRAM

存储器 (6000)