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W949D6CBHX6E
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DDR DRAM, 32MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
60
8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
32000000
PLASTIC/EPOXY
BGA60,9X10,32
-25 °C
NOT SPECIFIED
5 ns
85 °C
Yes
W949D6CBHX6E
166 MHz
33554432 words
1.8 V
TFBGA
RECTANGULAR
Winbond Electronics Corp
Active
WINBOND ELECTRONICS CORP
5.37
BGA
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
60
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.8 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.075 mA
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.025 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8,16
交错突发长度
2,4,8,16
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
宽度
8 mm
长度
9 mm