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BPW77NB
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
VISHAY SILICONIX BPW77NB PHOTO TRANSISTOR, NPN, SILICON
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
引脚数
3
70V
50mA
1
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Bulk
已出版
1999
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 额定直流
70V
最大功率耗散
250mW
方向
Top View
输出电压
70V
极性
NPN
通道数量
1
功率耗散
250mW
视角
20°
功率 - 最大
250mW
镜头风格
Domed
上升时间
6μs
下降时间(典型值)
5 μs
集电极发射器电压(VCEO)
70V
最大集电极电流
50mA
消耗功率
250mW
电压 - 集射极击穿(最大值)
70V
输入电流
50mA
暗电流
100nA
最大暗电流(Id)
100nA
高度
6.15mm
长度
5.5mm
宽度
5.5mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
BPW77NB PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :