BPW96B
Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
BPW96 Series 850 nm ± 20° Through Hole Silicon NPN Phototransistor - T-1 3/4
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
引脚数
2
70V
50mA
1
操作温度
-40°C~100°C TA
包装
Bulk
已出版
2001
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
100°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
150mW
方向
Top View
额定电流
50mA
极性
NPN
功率耗散
150mW
视角
40°
功率 - 最大
150mW
镜头风格
Domed
上升时间
2μs
集电极发射器电压(VCEO)
70V
最大集电极电流
50mA
镜头颜色
Clear
消耗功率
150mW
电压 - 集射极击穿（最大值）
70V
暗电流
200nA
最大暗电流（Id）
200nA
高度
8.6mm
长度
5.75mm
宽度
5.75mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsCollector Emitter Breakdown VoltageVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Max Collector CurrentViewing AngleOrientationRise TimeMax Power DissipationPower Dissipation
BPW96B
Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
2
70 V
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BPW96B PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :