![BPW16N](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductoroptodivision-bpw16n-3169.jpg)
BPW16N
Radial, 1.8mm (T-3/4)
VISHAY SEMICONDUCTOR BPW16N Wavelength Typ:825nm
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
Radial, 1.8mm (T-3/4)
引脚数
2
32V
50mA
1
操作温度
-40°C~100°C TA
包装
Bulk
已出版
2008
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
100°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
100mW
方向
Top View
额定电流
50mA
极性
NPN
功率耗散
100mW
视角
80°
功率 - 最大
100mW
镜头风格
Clear, Flat
上升时间
4.8μs
集电极发射器电压(VCEO)
5V
最大集电极电流
50mA
镜头颜色
Clear
消耗功率
100mW
电压 - 集射极击穿(最大值)
32V
最大击穿电压
32V
暗电流
200nA
最大暗电流(Id)
200nA
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsCollector Emitter Breakdown VoltageVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Max Collector CurrentViewing AngleOrientationRise TimeMax Power DissipationPower Dissipation
-
BPW16N
Radial, 1.8mm (T-3/4)
2
32 V
32V
50 mA
80°
Top View
4.8 μs
100 mW
100 mW
-
Radial
2
32 V
-
50 mA
24°
Top View
4.8 μs
100 mW
100 mW
-
Radial, Side View
2
30 V
-
1 mA
40°
Side View
10 μs
100 mW
100 mW
BPW16N PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :