BPW85C
Radial
VISHAY SEMICONDUCTOR BPW85C TRANSISTOR, PHOTO, NPN, 850NM, T-1
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
Radial
引脚数
2
70V
100mA
1
操作温度
-40°C~100°C TA
包装
Bulk
已出版
2001
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
100°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
100mW
方向
Top View
额定电流
50mA
极性
NPN
通道数量
1
功率耗散
100mW
视角
50°
功率 - 最大
100mW
镜头风格
Clear, Domed
上升时间
2μs
下降时间（典型值）
2.3 μs
集电极发射器电压(VCEO)
70V
最大集电极电流
50mA
镜头颜色
Clear
消耗功率
100mW
电压 - 集射极击穿（最大值）
70V
暗电流
200nA
最大暗电流（Id）
200nA
高度
4.5mm
长度
3.4mm
宽度
3.4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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BPW85C
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2
70 V
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BPW85C PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :