规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件包装
TO-3P(N)
厂商
Toshiba Semiconductor and Storage
Tube
Active
50 A
-
- 25 V, + 25 V
200 W
+ 175 C
- 55 C
50
Through Hole
Toshiba
Toshiba
100 A
Details
600 V
,
GT50J341,Q
Active
TOSHIBA CORP
5.67
系列
-
操作温度
175°C (TJ)
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
Reach合规守则
unknown
配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
200 W
产品类别
IGBT Transistors
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.2V @ 15V, 50A
IGBT类型
-
集极脉冲电流（Icm）
100 A
Td（开/关）@25°C
-
开关能量
-
产品类别
IGBT Transistors